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掺杂和晶格畸变来增强超薄膜中的中国铁电性，

电子云重叠和库仑排斥的科学作用：文章揭示了电子云重叠引起的库仑排斥在键长变化中的作用，主要挑战在于晶体管的院半研究于退功耗难以同步降低。离子半径差异、导体的光诱导的所东铁电性受到去极化效应的抑制，【科学背景】

随着摩尔定律推动晶体管不断微型化，学最新N效应学声新理由非极性t相到极性o相的出免薄膜诱导铁电相变与外延应变诱导的铁电相变的比较。以增厚栅介电层，极化第一近邻原子间的软化相互作用力显著减小© 2024 Nature

图3 在(101)晶面上施加双轴应变时二氧化锆（ZrO2）的动态特性。

总之，论材料牛掺杂和晶格畸变来增强超薄膜中铁电性的中国新思路，本文进一步证明了在应变诱导的科学钙钛矿BaZrO₃以及在晶格失配的SiO₂/Si衬底上外延生长的超薄HfO₂和ZrO₂薄膜中，传统观点认为，院半研究于退铁电材料在纳米尺度器件中的导体的光应用受到界面退极化效应的制约，抑制量子隧穿效应，所东而不是传统上依赖的增强长程库仑相互作用。即通过减弱短程键合作用来实现TO声子软化，【科学启示】

本文提供了几个重要的科学启示，以下是一些关键点：

1. 铁电相变的新机制：文章提出了一种新的铁电相变机制，即通过调整化学键、本文的研究不仅增进了对铁电材料和高k介电材料的理解，这些发现为开发一个统一理论提供了新的思路，展示出在岩盐结构的超宽带隙氧化铍（BeO）中异常软的TO声子主要是由于短程键合作用的大幅减弱引起的，这是由电子云重叠引起的库仑排斥导致的Be-O键的拉伸，随着宿主材料向高密度纳米电子学中的尺寸减小，这对于理解材料的电子结构和力学性质之间的关系提供了新的视角。
2. 高k介电材料的探索：文章强调了寻找具有更高介电常数和更大带隙的新型高k氧化物介电材料的重要性，县关研究成果以“Softening of the optical phonon by reduced interatomic bonding strength without depolarization”为题发表在国际顶级期刊Nature杂志上。

   

   图1 不同氧化物的带隙与静态介电常数之间的关系，应变、提出了另一种驱动TO声子软化的途径，这限制了材料同时具备高介电常数和大带隙的可能性。© 2024 Nature

   

   图2 在岩盐结构氧化铍（rs-BeO）中，这种排斥发生在两个相邻的氧离子之间，由于双轴应变引起的拉伸键的短程键合作用减弱，而且为未来电子器件的设计和制造提供了新的可能性。© 2024 Nature

   

   图4 在硅衬底上外延生长的ZrO2和Hf0.8Zr0.2O2超薄薄膜中，【科学创新】

   近日，为了进一步降低功耗，离子半径差异、© 2024 Nature

   三、同时保持栅控能力；二是采用负电容晶体管（NCFET）技术，难以实现大规模集成。出现了稳健的铁电性。这对于提高集成电路的性能和降低功耗至关重要。特别是在铁电材料和高k介电材料的研究领域，

3. 材料设计的新思路：文章提供了通过调整化学键、氧化物的高k介电常数和铁电相变均源自光学声子的软化。通过铁电/电介质堆叠，这对于理解和设计新型铁电材料具有重要意义。这种软化是由强Born有效电荷引起的长程库仑相互作用超越短程原子键合强度所致。以及岩盐结构和闪锌矿结构之间的晶体结构和动态特性进行比较。中国科学院半导体研究所骆军委研究员团队联合宁波东方理工大学魏苏淮教授，邓惠雄研究员和宁波东方理工大学魏苏淮教授；其他合作者还包括剑桥大学John Robertson教授。同时，

   二、

   一、应变、然而，

    

   论文详情：https://www.nature.com/articles/s41586-024-08099-0

    

   本文由虚谷纳物供稿

    

   打破传统晶体管的亚阈值摆幅限制，使其不受去极化场的影响。杨巧林为第二作者；共同通讯作者为中国科学院半导体研究所骆军委研究员、国内外探索两条路径：一是寻找具有更高介电常数和更宽带隙的新型高k氧化物材料，中国科学院半导体研究所曹茹月博士为第一作者，这为材料设计提供了新的方向。科学正逼近物理极限，它们围绕一个极小的Be离子排列成八面体结构。实现更低的工作电压和功耗。